关税重锤下,美国7月制造业PMI持续下跌;印度再发力,新批四半导体项目总值5.24亿美元;三星芯片,强势复苏?

多客科技

作者：微信文章
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关税重锤下，美7月制造业PMI持续下跌



美国制造业经济活动于7月延续收缩态势，连续第五个月出现下滑趋势，此前该行业仅经历了为期两个月的短暂扩张期，而在这之前还经历过长达26个月的萧条期。

美国供应管理学会（ISM）的报告表明，制造商正在努力应对持续疲软的需求、关税的破坏性影响，以及加速的裁员。

ISM制造业商业调查委员会主席Susan Spence表示，7月制造业采购经理人指数（PMI）录得48.0%，较6月的49.0%下降1个百分点。该指数低于50%表明制造业处于收缩区间，但美国整体经济仍保持扩张态势，当前已连续增长63个月。本次PMI下滑主要由供应商交付指数和就业指数下跌所致。



7月核心指标概览

制造业PMI：录得48.0%，连续第五个月处于收缩区间；

新订单指数：连续第六个月收缩（47.1%），较6月的46.4%微升0.7个百分点，受访制造商持续反馈需求疲软；

生产指数：跃升至51.4%（较6月上升1.1个百分点），连续第二个月实现扩张；

就业指数：连续第六个月处于收缩区间，录得43.4%，较6月的45.0%下降1.6个百分点，企业持续缩减用工规模

供应商交付指数：八个月来首次跌破50%库枯荣线，录得49.3%，较6月的54.2%骤降4.9个百分点，该指标低于50%表明交付速度加快；

库存指数：维持在收缩区间，录得48.9%，较6月的49.2%微降0.3个百分点；

客户库存指数：降至45.7%，较6月的46.7%下降1.0个百分点，持续处于“过低”区间，该状况通常被视为未来生产的积极信号；

价格指数：连续第十个月处于扩张区间（上涨），7月录得64.8%，较6月的69.7%骤降4.9个百分点；原材料价格增速放缓。

订单积压指数：录得46.8%，较6月的44.3%上升2.5个百分点，但仍连续第34个月处于收缩区间。

新出口订单指数：连续第五个月处于收缩区间，录得46.1%，较6月的46.3%微降0.2个百分点；

进口指数：同样处于收缩区间，录得47.6%，较6月的47.4%微升0.2个百分点（仍低于50%枯荣线）

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印度再发力，新批四半导体项目总值5.24亿美元



印度联合内阁批准了印度半导体任务（ISM）下的另外四个半导体制造项目。这些新批准的工厂将分别位于奥里萨邦、旁遮普邦和安得拉邦，总投资额约为460亿印度卢比（5.2439亿美元），预计将为2000多名熟练人员创造直接就业机会，同时还会在整个电子制造生态系统中创造大量国内间接就业机会。

此次获批的四家半导体制造公司分别为SiCSem私人有限公司、大陆设备印度私人有限公司（CDIL）、3D Glass Solutions Inc.以及先进的系统级封装（ASIP）技术公司。这些项目旨在满足电信、汽车、数据中心、消费电子和工业电子等各个领域对半导体不断增长的需求。



在奥里萨邦，SiCSem Private Limited将与总部位于英国的Clas-SiC Wafer Fab Ltd.合作，在布巴内斯瓦尔建立印度商业碳化硅（SiC）化合物半导体制造工厂。该工厂每年将具备生产60000片晶圆并封装9600万片的能力。此外，3D Glass Solutions Inc.将在该地区建立先进的封装和嵌入式玻璃基板设施，运用玻璃中介层、硅桥和3D异构集成模块等先进技术。

在旁遮普邦，CDIL将扩大其在Mohali工厂的生产规模，以生产高功率分立半导体器件，包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和肖特基旁路二极管等，采用硅和碳化硅技术。

在安得拉邦，ASIP Technologies与专门从事半导体测试和封装解决方案的韩国APACT Co.Ltd.合作，将建造一座年产能为9600万台的工厂，为多种电子应用提供服务。

这些项目的实施，将为印度引入第一家商业化合物半导体晶圆厂和现代玻璃封装装置。随着此次批准，ISM下获批的项目总数已达到10个，在印度各地区累计吸引了约1.6万亿印度卢比（182.3亿美元）的投资。

除了制造项目，印度还在芯片设计领域积极布局。该国向278家学术机构和72家初创企业提供了设计基础设施支持。2025年7月，电子和信息化部（MeitY）批准了来自初创企业、中小微企业（MSME）和学术机构的23个芯片设计项目，这些项目侧重于监控系统、智能电表、网络设备和微处理器IP核等应用。到目前为止，已有10家初创公司获得了风险投资，6家公司在国际代工厂完成了原型流片，17家机构在旁遮普邦莫哈里的半导体实验室制造了20个芯片设计。该计划的批准支出已达到80.3亿印度卢比，为设计和原型制作提供高达50%的成本覆盖（上限为1.5亿印度卢比）和4-6%的五年净销售额绩效挂钩激励（上限为3亿印度卢比）。

印度电子和信息技术部表示，随着全球半导体产业即将突破1万亿美元大关，印度正加速从政策布局转向实质生产。该国国内市场预计将实现近三倍增长，从2023年的380亿美元跃升至2030年的1000-1100亿美元。上个月，印度联邦电子与信息技术部长阿什维尼?维什瑙表示，印度首款自主研发的半导体芯片将于今年正式推出。此外，印度在产品出口方面也有不俗表现，手机、笔记本电脑、服务器等电子产品，以及电信、医疗、国防设备等都已进入国际市场。为了进一步推动半导体产业发展，印度启动了“印度人工智能使命”项目，为半导体相关人才提供开放数据集等学术资源，并配套一系列政策支持，助力实现“2047年愿景”。

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华为柔光屏技术再突破，新品有望搭载超清护眼新屏





华为发布预热视频，官宣全新超清护眼云晰柔光屏即将亮相，这意味着华为平板电脑屏幕将迎来又重大进化。与此同时，近期陆续官宣的华为MatePad Air 2025款和华为MatePad 11.5 S两款新平板电脑，大概率都会搭载这一全新屏幕，有望满足用户全方位的屏幕使用需求。

近年来，随着以华为为代表的一线厂商对国产平板生产力的不断挖掘，越来越多的用户选择加入国产平板消费大军，平板电脑的应用场景也在不断拓展。然而，传统镜面屏普遍存在强光下反光刺眼的问题，即便用户在户外办公、阅读时努力“自适应”屏幕，视觉疲劳感依然难以避免。

早在2023年，华为就创新性地将柔光屏应用到大众平板电脑中。2024年，华为进一步推出达到抗眩光（AG）、抗反射（AR）、抗指纹（AF）3A标准的云晰柔光屏，获得了市场的广泛认可。华为云晰柔光屏的核心优势在于实现了技术突破与体验升级的深度融合。它依托抗反射、降低闪点及护眼调光等创新技术，在保证高色准、高清晰度这一标准的同时，显著提升了屏幕的环境光适应能力。此外，华为在普通柔光屏的基础上加入纳米抗反射涂层，使云晰柔光屏达到3A标准。无论是在光线复杂的移动办公环境，还是长时间学习、创意生产时注视屏幕，它都能始终保持清晰通透，既规避了反光干扰，又减轻了视觉疲劳，成为对屏幕显示有要求、注重用眼健康人群的。

如今，华为不断深耕柔光屏技术，全新一代超清护眼云晰柔光屏的推出，将这一技术水准推向了新高度。其核心优势在于通过硬件级创新实现了体验的跃升。这款屏幕的闪点降低了50%，配合数以亿计的纳米纹理结构，可减少99%的环境干扰光。这使得用户在户外强光、咖啡馆复杂光线等场景下，仍能获得清晰通透的屏幕显示效果，彻底摆脱“找角度看屏幕”的困扰。同时，内部多层散射技术让光线入眼更柔和，大幅减轻了长时间阅读、创作带来的眼部疲劳。可以说，这款屏幕精准回应了年轻新锐群体移动办公、创意生产等高频需求，或将成为数字时代显示技术的又一个重要标杆。

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三星芯片，强势复苏？



三星电子的半导体业务正随着来自美国大型科技公司的接连代工订单而出现复苏迹象，市场目前关注的是这种势头是否会延续到其旗舰内存芯片业务。

业内人士表示，三星内存业务复苏的第一个转折点将是其为英伟达人工智能（AI）加速器供应高带宽内存3E（HBM3E）芯片的时间表，其次是其在即将到来的HBM4竞赛中取得领先于竞争对手的能力。

三星初计划在今年第三季度通过英伟达对其12英寸HBM3E显卡的，并在三个月内开始量产。然而，多位分析师认为该计划可能会延期。

摩根士丹利在近的一份报告中表示，三星预计将在8月底完成12英寸HBM3E的，并在第四季度开始为英伟达量产。瑞银集团也预测，三星很可能在第四季度通过，并开始出货。

高盛在近的一份报告中表示：“该公司还提到，预计今年下半年其HBM3E销售组合将达到90%的高水平，我们认为这意味着其将向主要客户全面出货HBM3E 12-high。”

这些观点引发了人们的预期，即三星的12英寸HBM3E供应量可能有限，因为该芯片在市场上已经进入成熟阶段，而SK海力士和美光等竞争对手已经确保了大部分可用需求。

在此背景下，即使成本价格下降，三星似乎仍在增加供应。在7月31日的财报电话会议上，该公司表示，计划下半年HBM3E的销量较上半年“大幅提升”，并补充称，“供应增长可能会超过需求增长，预计会暂时影响市场价格。”

SK证券分析师韩东熙表示，市场“已经将竞争对手（三星）的进入视为理所当然”，并补充说，目前在HBM3E市场占据主导地位的SK海力士将很难进一步增加其份额。

三星的下一个可能的转折点将是HBM4的供应，因为该芯片预计将在2026年成为Nvidia下一代AI处理器Rubin的主流。



三星在财报电话会议上表示，它已经“完成了HBM4产品的开发和向1c DRAM（动态随机存取存储器）工艺的过渡，并向主要客户发送了样品”。

业内人士推测，该公司上个月已向英伟达交付了12英寸HBM4样品，工程样品计划于本月晚些时候发布，客户样品则计划于11月发布。预计主要客户的终产品将于明年2月完成。

由于SK海力士于3月份完成样品出货，并于近期与Nvidia达成初步批量协议，三星的进展速度有所放缓，但该公司相信自己能够赶上1c工艺。

尽管竞争对手已经采用了1b DRAM工艺，但三星正在使用更先进、更精细的1c工艺开发其HBM4芯片。1c工艺是指10纳米级的第六代制造工艺，分为六个阶段——1x、1y、1z、1a、1b和1c。这一进展反映了更精细的节点尺寸。

大信证券分析师Ryu Hyung-keun表示：“通过采用先进的工艺技术，三星有望有机会解决长期以来对速度和热量规格的担忧，这一变化可能会增加其HBM业务成功的机会。”

然而，人们对1c工艺的担忧仍然存在，因为过渡到更先进的技术需要成本。

为了确保2026年HBM4的及时供应，三星正在投资1c DRAM设施，并在其位于京畿道平泽和华城市的生产线上进行迁移工作。

SK证券的韩某表示：“三星正致力于通过采用的工艺技术来提高性能和可靠性，但1c工艺中冗余度（针对设计缺陷的预防措施）的扩大以及投资的增加，很可能使三星不可避免地面临成本增加的情况。”

下一代DRAM之争

在全球存储芯片行业战场——10纳米级第六代DRAM领域（1c、11-12纳米级）争夺战中，三星电子与SK海力士采取了截然不同的策略。

为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速采取行动，投资新的生产设施，而SK海力士则推迟大规模支出，直到在与包括Nvidia在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺，确保盈利能力。

预计三星将比SK海力士提前三到四个月开始量产1c DRAM。分析师表示，如果三星成功向英伟达供应采用新工艺生产的DRAM的第四代高带宽内存（HBM4），它有望重夺约30年来首次失去的市场领先地位。

每一代DRAM都采用更先进的制程技术，通过缩小电路线宽来减小芯片尺寸并提高密度，从而提升性能和能效。三星、SK海力士和美国美光科技公司目前正在10纳米级第四代（1a、14纳米级）和第五代（1b、11-12纳米级）DRAM市场展开竞争。业内观察人士预计，1c DRAM的竞争将从明年开始升温。

据业内人士8月11日透露，三星已于第一季度开始陆续订购1c DRAM生产设备。该公司自今年上半年以来一直在采购DRAM制造工具，预计将于年底完成生产线建设，并全面投入量产。SK海力士计划早于第三季度开始订购设备，并计划于明年实现量产。

三星一直试图在1c DRAM产量上超越SK海力士，以弥补其1a和1b产品线的失误。近年来，该公司一直致力于解决DRAM质量问题，这些问题严重到需要重新设计已量产的芯片。这些问题也影响了其HBM产量，导致HBM市场出现亏损，并让三星失去了近30年来一直保持的DRAM市场领先地位。

市场追踪机构Omdia报告称，2025年第一季度，SK海力士占据了DRAM市场36.9%的份额，超过三星（份额为38.6%），位居第二。

三星计划在其HBM4产品中使用1c DRAM，而SK海力士则计划在同一类别中采用上一代1b DRAM。由于三星在HBM领域落后于SK海力士，因此它寄希望于DRAM的代际飞跃来确保性能优势。第二季度，三星向其的HBM客户英伟达交付了HBM4样品，目前正在进行质量测试。SK海力士已于第一季度向英伟达交付了HBM4样品，并正在就明年的供应量进行磋商。

SK海力士计划在今年下半年大规模订购1c DRAM设备。尽管其1c DRAM技术被认为已准备好立即量产，但该公司仍采取谨慎的策略，专注于为英伟达和其他主要客户生产基于1b DRAM的第五代HBM（HBM3E）。SK海力士计划在第三季度敲定明年的供应协议，并在盈利能力得到保证后继续投资。

SK海力士的EUV规划

SK海力士正积极将EUV（极紫外）工艺应用于下一代DRAM的开发。该公司将于今年下半年开始对1c（第六代10纳米级）DRAM进行过渡性投资，并决定将EUV层的数量从上一代产品增加两层，达到至少五层。此外，该公司还在持续开发用于下一代EUV技术的材料。

据业内人士11日透露，SK海力士计划在其1c DRAM中总共应用5层或更多的EUV层。

EUV的波长为13.5纳米，是传统半导体曝光工艺材料ArF（氟化氩）的十三分之一，使其成为实现超精细工艺的理想光源。然而，由于技术难度高、设备成本高，目前EUV仅适用于需要超精细电路的特定层。对于其余层，则使用现有的传统工艺，例如深紫外(DUV)。

SK Hynix初将EUV应用于其1a（第四代10nm级）DRAM的一层。后来，其1b DRAM扩展到四层。

此外，1c DRAM将把EUV层数增加到五层或更多。1c DRAM是尚未实现全面商业化的下一代DRAM。去年，SK海力士基于1c工艺开发了全球首款16Gb（千兆位）DDR5 DRAM。该公司计划在今年下半年开始将投资转向1c DRAM。

SK海力士TL朴义尚当天在水原会展中心举办的“下一代光刻+图案化学术会议”上表示，“我们将在1c DRAM上应用5层以上的EUV，并将1d、0a等所有下一代产品都使用EUV。”他解释道，“为此，SK海力士正致力于开发提高EUV工艺生产率的方法。”

SK海力士也在积极应对即将推出的高数值孔径(High-NA)EUV技术。NA是衡量镜头像差的指标，更高的数值孔径可提高分辨率。传统的EUV系统镜头像差为0.33，而高数值孔径EUV系统的数值孔径更高，可达0.55。SK海力士计划早于明年推出高数值孔径EUV设备。

尤其是用于高数值孔径EUV光刻的掩模版的开发预计将成为一项重大挑战。掩模版是用于将半导体电路雕刻到晶圆上的材料。

EUV光几乎可以被所有材料吸收，它采用通过镜子将光反射到晶圆上的方法。然而，在高NA下，光的扩散角度会更大，从而产生入射角和反射角重叠的问题。

因此，业界开发了“变形”技术，该技术将垂直方向的光线减少到水平方向的两倍，从而防止光线重叠。此前，从掩模投射到晶圆上的光线在水平和垂直方向上都减少了四倍，而变形技术则将水平方向的光线减少了四倍，垂直方向的光线减少了八倍。由于投射到晶圆上的面积减小，因此需要两个掩模。

然而，当使用两层掩模版时，掩模版相互接触的区域会重叠。SK海力士将此区域称为“缝合”区域。

Park TL表示，“由于控制缝合区域相当困难，我们还没有开发出用于High-NA EUV的掩模版”，“我们正在继续尝试弄清楚它应该由什么材料制成”。

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