AI吞噬存储产能,传统领域一“芯”难求
作者：微信文章一场由AI驱动的供应风暴正席卷全球存储芯片市场，传统的周期规律在此刻彻底失灵。
“内存成本比一年前高出大约120%。”树莓派CEO埃本·厄普顿在2025年10月无奈宣布产品涨价，这家以高性价比著称的微型计算机公司，也无法逃脱席卷全球的存储芯片涨价潮。
摩根士丹利在最新研报中首次提出存储芯片行业正迎来一个由AI驱动的“超级周期”，此次供应危机是全品类存储产品的罕见同步短缺，被AI和超大规模数据中心的需求无限放大。
据行业数据显示，曾跌至历史低点的512Gb TLC NAND闪存现货价格在六个月内上涨超过100%，合约价也随之跟进。DRAM市场的复苏比NAND晚了一个季度，近期DDR4内存价格涨幅已超12%，而美光公司10月最新报价中，主流规格DDR5产品价格更是暴涨12%至28%，PC级DDR4产品的价格预计将环比猛涨38-43%，甚至连显卡用的GDDR6显存也因供应短缺，价格上涨了约30%。过去常常“此涨彼跌”的HDD与SSD也首次同时陷入供应紧张，高容量近线硬盘的交货期已延长至52周以上。
这场危机的核心驱动力来自于AI巨头对存储产能的惊人消耗，训练和部署大语言模型需要海量的内存和存储，数据中心内的每一个GPU节点都能消耗数百GB的DRAM和数TB的闪存。据报道，OpenAI的“Stargate”数据中心项目已与三星和SK海力士签署意向，每月需求高达90万片DRAM晶圆，这几乎相当于全球DRAM月度总产量的40%；云服务提供商也在以同样激进的方式锁定供应。高密度NAND产品实际上已被提前数月预订一空；美光的高带宽内存产品在2026年前的产能几乎已全部售罄。如此庞大的需求产生了强烈的“排挤效应”，迫使存储原厂调整其产品组合。
为了将更多产能转向利润率更高的HBM，存储巨头们正削减传统存储产品的供给。三星已宣布将DDR4产品推向停产（EOL），其2026年的DDR4供货量预计将锐减至2025年的五分之一，与此同时，几乎所有存储制造商在经历了上一轮行业亏损后，资本支出都变得极为谨慎，不再进行盲目扩产，这进一步限制了市场的整体供应弹性。预计，未来三个季度DDR4将持续存在10-15%的供应缺口，后端封装产能的限制可能使情况更为严峻，因此，部分DDR4规格的合约价在第四季度可能上涨一倍以上。
根据 iM 证券 6 日发布的报告，2025年 DRAM需求增长率已上调至 19.3%，小幅高于行业 18.1% 的生产增长率。
展望 2026 年，受全球经济放缓影响，DRAM 需求增长率预计为 14.1%，生产增长率预计为 14.2%，HBM的利润率令人惊叹。分析指出，HBM的毛利率高达50%到60%，远高于传统DRAM的30%左右，如此高的利润率驱动存储芯片厂商积极调整产品组合。SK海力士凭借HBM的领先优势，营收首次超过三星，打破了长期以来的行业格局。
图片来源：李建樑攝
本次全球存储芯片市场的剧烈动荡并非短期波动，而是由AI革命引发的结构性转变的开端，市场正从传统的周期性循环，迈入一个由尖端AI需求主导的“超级周期”。
摩根士丹利等机构指出，由AI服务器、智能汽车等需求拉动的供需紧张关系，至少在2026年前难以缓解，这意味着，高企的存储价格与漫长的交货周期可能成为新常态。
企业需要考虑与供应商建立更长期、更紧密的战略合作关系，同时，积极优化库存管理，在价格高位和供应不稳的时期，建立安全库存以保障生产连续性变得尤为重要。
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